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簡要描述：硬化涂層膜厚儀是一款快 速、準確測量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案，要求的光斑尺寸小到幾個微米，如微圖案表面，粗糙表面及許多其他表面。
產(chǎn)品型號：FR-Mic廠商性質(zhì)：代理商產(chǎn)品資料：查看pdf文檔更新時間：2025-09-04訪 問 量： 11707產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
硬化涂層膜厚儀是一款快 速、準確測量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案，要求的光斑尺寸小到幾個微米，如微圖案表面，粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺計算機控 制的XY工作臺，使其快 速、方便和準確地描繪樣品的厚度和光學特性圖。品牌屬于Thetametrisis。
Thetametrisis利用 FR-Mic，通過紫外/ 可見/ 近紅外可輕易對局部區(qū)域薄膜厚度，厚度映射，光學常數(shù)，反射率，折射率及消光系數(shù)進行測量。
【膜厚測量儀相關(guān)應(yīng)用】
1.高校 & 研究所實驗室
2.半導體制造
3.(氧化物/氮化物， 硅膜, 光刻膠及其他半導體薄膜.)
4.MEMS 器件 (光刻膠, 硅膜等.)
5.LEDs, VCSELs
6.數(shù)據(jù)存儲
7.陽極處理
8.曲面基底的硬鍍及軟鍍
9.聚合物膜層, 粘合劑
10.生物醫(yī)學(聚對二甲苯, 生 物膜/氣泡壁厚度.)
11.還有許多…
【Thetametrisis膜厚儀特點】
1、實時光譜測量
2、薄膜厚度，光學特性，非均勻性測量， 厚度映射
3、使用集成的，USB連接高品質(zhì)彩色攝像機進行成像
【Thetametrisis膜厚測量儀產(chǎn)品優(yōu)勢】
1、單擊即可分析 (無需初始預測)
2、動態(tài)測量
3、包含光學參數(shù) (n & k, color)
4、可保存測量演示視頻錄像
5、超過 600 種不同材料o 多個離線分析配套裝置o 免費操作軟件升級
【膜厚測量儀技術(shù)參數(shù)】
| 型號 | UV/VIS | UV/NIR-EXT | UV/NIR-HR | DUV/NIR | VIS/NIR | DVIS/NIR | NIR | |
| 光譜波長范圍(nm) | 200–850 | 200–1020 | 200-1100 | 200–1700 | 370–1020 | 370–1700 | 900–1700 | |
| 光譜儀像素 | 3648 | 3648 | 3648 | 3648&512 | 3648 | 3648&512 | 512 | |
|
膜厚測量范圍 | 5X-VIS/NIR | 15nm–60μm | 15nm–70μm | 15nm–90μm | 15nm–150μm | 15nm–90μm | 15nm–150μm | 100nm–150μm |
| 10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm–50μm | 4nm–60μm | 4nm–80μm | 4nm–130μm | 15nm–80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | |
| 15X-UV/NIR* | 4nm–40μm | 4nm–50μm | 4nm–50μm | 4nm–120μm | – | – | – | |
| 20X-VIS/NIR 20X-UV/NIR* | 4nm–25μm | 4nm–30μm | 4nm–30μm | 4nm–50μm | 15nm–30μm | 15nm–50μm | 100nm–50μm | |
| 40X-UV/NIR* | 4nm–4μm | 4nm–4μm | 4nm–5μm | 4nm–6μm | – | – | – | |
| 50X-VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm–5μm | 15nm–5μm | 100nm–5μm | |
| 測量n&k蕞小厚度 | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | |
| 光源 | 氘燈&鹵素燈(internal) | 鹵素燈(internal) | ||||||
| 材料數(shù)據(jù)庫 | >600不同材料 | |||||||
*測量面積(收集反射或透射信號的面積)與顯微鏡物鏡和 FR-uProbe 的孔徑大小有關(guān)。
| 物鏡 | 光斑尺寸(μm) | ||
|
| 500μm孔徑 | 250μm孔徑 | 100μm孔徑 |
| 5x | 100μm | 50μm | 20μm |
| 10x | 50μm | 25μm | 10μm |
| 20x | 25μm | 17μm | 5μm |
| 50x | 10μm | 5μm | 2μm |
【工作原理】
*規(guī)格如有更改，恕不另行通知, 測量結(jié)果與校準的光譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續(xù) 15 天測量的標準方差平均值。樣品：1um SiO2 on Si., 100 次厚度測量的標準方差，樣品：1um SiO2 on Si.
*超過 15 天的標準偏差日平均值樣品：1um SiO2 on Si。
以上資料來自Thetametrisis，如果有需要更加詳細的信息，請聯(lián)系我們獲取。
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